中心議題：
??? * 汽車(chē)內(nèi)部電子噪聲源
??? * 汽車(chē)電子的EMC設(shè)計(jì)
解決方案：
??? * 增加Vss到基底或者Vdd到基底的電容能夠降低噪聲瞬態(tài)值
??? * 數(shù)字電路或者模擬電路通常都需要隔離源區(qū)
??? * 控制內(nèi)部存在四種主要的噪聲源

汽車(chē)電子處于一個(gè)充滿噪聲的環(huán)境，因此汽車(chē)電子必須具有優(yōu)秀的電磁兼容(EMC)性能。而汽車(chē)電子的EMC設(shè)計(jì)中最主要的是微處理器的設(shè)計(jì)，作者將結(jié)合實(shí)際設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，分析噪聲的產(chǎn)生機(jī)理并提出消除噪聲的方法。

汽車(chē)電子常常工作環(huán)境很惡劣：環(huán)境溫度范圍為－40oC到125oC；振動(dòng)和沖擊經(jīng)常發(fā)生；有很多噪聲源，如刮水器電動(dòng)機(jī)、燃油泵、火花點(diǎn)火線圈、空調(diào)起動(dòng)器、交流發(fā)電機(jī)線纜連接的間歇切斷，以及某些無(wú)線電子設(shè)備，如手機(jī)和尋呼機(jī)等。

汽車(chē)設(shè)計(jì)中一般都有一個(gè)高度集成的微控制器，該控制器用來(lái)完成大量的計(jì)算并實(shí)現(xiàn)有關(guān)車(chē)輛運(yùn)行的控制，包括引擎管理和制動(dòng)控制等。汽車(chē)電子設(shè)計(jì)不僅需要在這種噪聲環(huán)境中實(shí)現(xiàn)對(duì)MCU的保護(hù)，同時(shí)也必須規(guī)范MCU模塊設(shè)計(jì)，確保MCU模塊發(fā)射的噪聲滿足相關(guān)的規(guī)范。

在概念上，電磁兼容性(EMC)包含系統(tǒng)本身對(duì)噪聲的敏感性以及噪聲發(fā)射兩個(gè)部分。噪聲可以通過(guò)電磁場(chǎng)的方式傳播從而產(chǎn)生輻射干擾，也可以通過(guò)芯片上或者芯片外的寄生效應(yīng)傳導(dǎo)。

在大多數(shù)汽車(chē)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，EMC變得越來(lái)越重要。如果設(shè)計(jì)的系統(tǒng)不干擾其它系統(tǒng)，也不受其它系統(tǒng)發(fā)射影響，并且不會(huì)干擾系統(tǒng)自身，那么所設(shè)計(jì)的系統(tǒng)就是電磁兼容的。

在美國(guó)出售的任何電子設(shè)備和系統(tǒng)都必須符合聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)制定的EMC標(biāo)準(zhǔn)，而美國(guó)主要的汽車(chē)制造商也都有自己的一套測(cè)試規(guī)范來(lái)制約其供應(yīng)商。其它的汽車(chē)公司通常也都有各自的要求，如：
SAEJ1113(汽車(chē)器件電磁敏感性測(cè)試程序)給出了汽車(chē)器件推薦的測(cè)試級(jí)別以及測(cè)試程序。
SAEJ1338則提供關(guān)于整個(gè)汽車(chē)電磁敏感性如何測(cè)試的相關(guān)信息。
SAEJ1752/3和IEC61967的第二和第四部分是專(zhuān)用于IC發(fā)射測(cè)試的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。
歐洲也有自己的標(biāo)準(zhǔn)，歐盟EMC指導(dǎo)規(guī)范89/336/EEC于1996年開(kāi)始生效，從此歐洲汽車(chē)工業(yè)引入了一個(gè)新的EMC指導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)(95/54/EEC)。

檢查汽車(chē)對(duì)于電磁輻射的敏感性，應(yīng)該確保整個(gè)汽車(chē)在20到1000MHz的90％帶寬范圍內(nèi)參考電平限制在24V/米的均方根值以內(nèi)，在整個(gè)帶寬范圍以內(nèi)的均方根值在20V/米以內(nèi)。在測(cè)試過(guò)程中要試驗(yàn)駕駛員對(duì)方向盤(pán)、制動(dòng)以及引擎速度的直接控制，而且不允許產(chǎn)生可能導(dǎo)致路面上任何其他人混淆的異常，或者駕駛員對(duì)汽車(chē)直接控制的異常。

由于芯片幾何尺寸不斷減小，以及時(shí)鐘速度的不斷增加都會(huì)導(dǎo)致器件發(fā)射超過(guò)500MHz的時(shí)鐘諧波，因此EMC設(shè)計(jì)非常重要。如摩托羅拉公司最新基于e500架構(gòu)的微控制器MPC5500系列，該芯片采用0.1微米工藝技術(shù)，時(shí)鐘頻率為200MHz。
此外，產(chǎn)品成本的要求迫使生產(chǎn)商設(shè)計(jì)電路板時(shí)不使用地層并盡可能減少器件數(shù)量，汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師將面對(duì)非常嚴(yán)格的設(shè)計(jì)約束挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)必須高度可靠，即使一百萬(wàn)輛汽車(chē)中有一輛存在一個(gè)簡(jiǎn)單的故障都是不允許的。沒(méi)有考慮EMC設(shè)計(jì)而召回所有汽車(chē)的事實(shí)證明這種做法不僅損失巨大，而且影響汽車(chē)廠商的聲譽(yù)。

在電磁兼容設(shè)計(jì)中，“受害方”的概念通常指那些由于設(shè)計(jì)缺乏EMC考慮而受到影響的部件。受害部件可能在基于MCU的PCB或者模塊的內(nèi)部，也可能是外部系統(tǒng)。通常的受害部件是汽車(chē)免持鑰匙入車(chē)(Keyless-Entry)模塊中的寬帶接收器或者是車(chē)庫(kù)門(mén)開(kāi)啟裝置接收器，由于接收到MCU發(fā)出的足夠強(qiáng)的噪聲，這些模塊中的接收器會(huì)誤認(rèn)為接收到了一個(gè)遙控信號(hào)。

汽車(chē)收音機(jī)通常也是受害部件：MCU可能產(chǎn)生大量的FM波段諧波，嚴(yán)重降低聲音質(zhì)量。分布在汽車(chē)中的其它模塊也可能受到類(lèi)似的影響，基于MCU的模塊產(chǎn)生的發(fā)射噪聲經(jīng)由線纜傳播出去，如果MCU產(chǎn)生足夠強(qiáng)的噪聲對(duì)文本和語(yǔ)音進(jìn)行干擾，那么無(wú)繩電話和尋呼機(jī)也容易受到干擾。

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EMC設(shè)計(jì)

很多EMC設(shè)計(jì)技術(shù)都可以應(yīng)用到電路板和SoC設(shè)計(jì)中。最具共性的部分就是傳輸線效應(yīng)，以及布線和電源分布網(wǎng)絡(luò)上的寄生電阻、電容和電感效應(yīng)。當(dāng)然，SoC設(shè)計(jì)中存在許多與芯片自身相關(guān)的技術(shù)，涉及基底材料、器件幾何尺寸和封裝等。

首先了解傳輸線效應(yīng)。如果發(fā)送器和接收器之間存在阻抗不匹配，信號(hào)將產(chǎn)生反射并且導(dǎo)致電壓振鈴現(xiàn)象，因而降低噪聲容限，增加信號(hào)串?dāng)_并通過(guò)容性耦合對(duì)外產(chǎn)生信號(hào)發(fā)射干擾。IC上的傳輸線尺寸通常非常小，因此不會(huì)發(fā)射噪聲或者受到輻射噪聲的影響，而電路板上的傳輸線尺寸通常比較大，容易產(chǎn)生這種問(wèn)題，最常用的解決辦法是使用串聯(lián)終結(jié)器。

在SoC設(shè)計(jì)中，噪聲主要通過(guò)寄生電阻和電容來(lái)傳導(dǎo)，而不是以電磁場(chǎng)的方式輻射。CMOS芯片通過(guò)一種外延工藝實(shí)現(xiàn)極低電阻基底的方法來(lái)增強(qiáng)抗閉鎖的能力，而基底的底側(cè)為基底噪聲提供了一種有效的傳導(dǎo)路徑，使得很難將噪聲源同敏感節(jié)點(diǎn)在電氣上分隔開(kāi)來(lái)。

許多并行的p＋基底觸點(diǎn)(contact)為阻性耦合噪聲提供了一個(gè)低阻抗路徑。在n阱和p溝道晶體管p基底的側(cè)壁以及底部之間會(huì)形成寄生電容，因而產(chǎn)生容性耦合噪聲，并且在n溝道晶體管的基底和源區(qū)之間形成pn結(jié)(見(jiàn)圖1)。

單個(gè)pn結(jié)電容非常小，在一個(gè)VLSI的SoC設(shè)計(jì)中并行的電容總和通常是幾個(gè)納法，在連接到電源網(wǎng)絡(luò)之前將源區(qū)和基底直接連接可以短路掉這個(gè)電容。這種技術(shù)還消除了進(jìn)入基底的瞬時(shí)負(fù)電流而導(dǎo)致的體效應(yīng)(bodyeffect)。體效應(yīng)會(huì)增加耗盡區(qū)，并導(dǎo)致晶體管的Vt變高。同樣的技術(shù)也可以應(yīng)用于n阱p 溝道晶體管，以減小容性耦合噪聲。

然而，包含層疊晶體管的數(shù)字電路或者模擬電路通常都需要隔離源區(qū)。在這種情況下，增加Vss到基底或者Vdd到基底的電容能夠降低噪聲瞬態(tài)值。對(duì)模擬電路設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，體效應(yīng)通過(guò)改變偏置電流和信號(hào)帶寬降低了電路性能，因此需要使用其它解決辦法，如阱隔離。對(duì)數(shù)字電路，采用單一的阱最理想，可以降低芯片面積。通過(guò)認(rèn)真的設(shè)計(jì)可以對(duì)體效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。

基底噪聲的另一個(gè)來(lái)源是碰撞離化(impact-ionization)電流，該噪聲跟工藝技術(shù)有關(guān)，當(dāng)NMOS晶體管達(dá)到夾斷(pinch-off)電壓時(shí)就會(huì)出現(xiàn)這種情況。碰撞離化會(huì)在基底產(chǎn)生空穴電流(正的瞬間電流)。

通常，基底噪聲的頻率范圍可能高達(dá)1GHz，因此必須考慮趨膚效應(yīng)。趨膚效應(yīng)是指導(dǎo)體上隨著深度的增加感應(yīng)系數(shù)增大，在導(dǎo)體的中心位置達(dá)到最大值。趨膚效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致片上信號(hào)的衰減以及信號(hào)在芯片p＋基底層的失真。為最大程度減小趨膚效應(yīng)，要求基底厚度小于150微米，該尺寸遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于某些基底允許的最小機(jī)械厚度，然而更薄的基底更易碎。

噪聲源

微控制器內(nèi)部存在四種主要的噪聲源：內(nèi)部總線和節(jié)點(diǎn)同步開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電源和地線上的電流；輸出管腳信號(hào)的變換；振蕩器工作產(chǎn)生的噪聲；開(kāi)關(guān)電容負(fù)載產(chǎn)生的片上信號(hào)假象。

許多設(shè)計(jì)方法可以降低同步開(kāi)關(guān)噪聲(SSN)。穿透電流是SSN的一個(gè)主要來(lái)源，所有的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器、總線驅(qū)動(dòng)器以及輸出管腳驅(qū)動(dòng)器都可能受到這種效應(yīng)的影響。這種效應(yīng)發(fā)生在互補(bǔ)類(lèi)型的反相器中，輸出狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)p溝道晶體管和n溝道晶體管瞬間同時(shí)導(dǎo)通。確保在互補(bǔ)晶體管導(dǎo)通之前關(guān)斷另一個(gè)晶體管就可以實(shí)現(xiàn)穿透電流最小，在大電流驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)中，這可能要求一個(gè)前置驅(qū)動(dòng)器來(lái)控制該節(jié)點(diǎn)信號(hào)的轉(zhuǎn)換率。

切斷不需要使用模塊的時(shí)鐘也可以降低SSN。很明顯，該技術(shù)同具體應(yīng)用十分相關(guān)，應(yīng)用該技術(shù)可以提高EMC性能。在類(lèi)似摩托羅拉的MPC555和565這樣高度集成的微控制器芯片中，所有芯片的外圍模塊都具有這樣的功能。