所謂的極管，實際上就是指電子工程技術上所說的一種電子器件。二極管、三極管是組成電子電路的最基本的元件。二極管是起整流作用的，三極管是起放大作用的。在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。

而三極管是由兩個PN結構成的。正常作放大工作時，必須工作在它的放大區(qū)域，即發(fā)射結處于正偏(PN結加上正向偏壓，在導通狀態(tài))、集電結處于反偏(PN結加上反向偏壓，在截止狀態(tài))。這樣發(fā)射極中的多數(shù)載流子，在正向偏壓下能夠順利地擴散到基極；由發(fā)射極擴散到基極的載流子，對基極來說，這是少數(shù)載流子，在集電結反向偏壓下，能夠以高速漂移到集電極，形成集電極電流。如果兩個PN結都加上正向偏壓，三極管工作在飽和狀態(tài)(相當開關處于“開”的狀態(tài))；兩個PN結都加上反向偏壓，三極管工作在截止狀態(tài)(相當開關處于“關”的狀態(tài))。這兩種狀態(tài)在開關電路中得到了廣泛應用。

雖然二者都做了詳細的解釋，但是小編我還是一頭霧水。這不，我們的網(wǎng)友也對這兩個提出了疑問，先來看看》》

問：二極管反偏 與 NPN三極管的BC反偏有什么區(qū)別？

1.大家都知道二極管在反偏的時候，耗盡區(qū)會增大，電流基本是零.

2.NPN三極管的BC反偏的時候，同樣是PN結反偏，還會提到E極流入B極的電子只有少部分被B極的空穴復合，大部分電子會進入BC之間的耗盡區(qū)，在該區(qū)域的電場作用下，越過反偏的BC結，形成c極電流。

3.我的問題是，在單個二極管反偏的情況下，為什么不提電源的負極能夠提供電子，這些電子也會進入耗盡區(qū)，在電場的作用下，越過反偏的PN結，形成電流。

juincenJ ：Vc > Vb > Ve情況下，一個NPN三極管，假想：E極（N區(qū)）重摻雜，B極懸空，，就接近一個反偏的二極管了。在此情況下，由于B極懸空，沒有足夠的BE結偏壓，無法提供足夠的電子，因此電流極小。

君莫問 ：然而二極管反偏的時候電源負極電子并不能進入P區(qū)。。。。。這就是三極管的牛逼之處啦。

追憶似水年華 ：閣下的問題與三極管飽和類似，參考下面文字。 B、C反偏，但還是有IC，簡單說是因為有Ib導致三極管B區(qū)電子密度大大增加，通過熱擴散至C區(qū)形成IC電流。

從三極管結構來講：在正向的Vbe電場作用下，發(fā)射極的電子注入基區(qū)，再擴散到集電結邊緣。三極管未飽和時，集電結反偏的電壓會把邊緣的電子立刻吸引到集電極?？墒钱旊娏鱅b逐漸增加，Ic也增加，擴散到集電結邊緣的電子越來越多，電子濃度不斷增加，集電結反偏勢壘Vcb就會越來越小。當Ic大到使Vcb為0時，管子進入飽和，就不再有電場吸引這些結邊緣的電子了，電子只能是擴散到集電極。當Ic再增加時，Vcb<0（Vb=0.7V，Vc=0.3V）,此時集電結就正偏了，會阻礙電子擴散了，但因為基區(qū)電子濃度太大了，電子繼續(xù)擴散到集電極，能夠滿足Ic大小的要求。注意：Vcb<0集電結正偏并不是三極管外部電場導致的結果，而是由于基區(qū)的電子濃度遠大于集電區(qū)由電子擴散所造成的！ 

注：擴散，全稱分子擴散。在濃度差或其他推動力的作用下，由于分子、原子等的熱運動所引起的物質在空間的遷移現(xiàn)象，是質量傳遞的一種基本方式。以濃度差為推動力的擴散，即物質組分從高濃度區(qū)向低濃度區(qū)的遷移，是自然界和工程上最普遍的擴散現(xiàn)象；以溫度差為推動力的擴散稱為熱擴散；在電場、磁場等外力作用下發(fā)生的擴散，則稱為強制擴散。

kevin1575 ：一般情況下電子確實是不能像在導體中一樣大量進入P區(qū)形成自由電子的，因為進入的自由電子會被大量的空穴復合吞噬掉，在邊界處會形成一個很陡的分布密度坡，但是不能進入并不代表P區(qū)就不能導電，P區(qū)的導電機制是一端進入的電子被吞噬，另一端又把吞噬的電子拉出，于是完成了電子的回路，這正是pn結正偏時的導電機制。那么反偏的時候呢，電源負極確實是提供大量自由電子讓空穴吞噬的，那為什么還不導電呢，因為另一端是一個結，這個結雖然有空間電荷可以拉電子，但是，它只能拉自由電子，形成漏電流，卻拉不出空穴里的電子，要想拉出來必須把反向電壓加大到結的擊穿電壓，也就是說在結這里斷路了。

 然后再說三極管。為什么三極管的P區(qū)有大量的自由電子呢？首先前面說過，自由電子電子一進來就被吞噬的，自由電子在邊界處是有一個分布密度的坡度的，也就是并沒有完全被吞噬掉，這種坡可以調節(jié)讓它變地緩一點變得長一點，那就是減低P區(qū)的摻雜濃度，減少空穴的數(shù)量，然后再減小P區(qū)的長度，使得自由電子的分布能夠觸及到電荷區(qū)的邊界，讓電荷區(qū)把自由電子吸過去。差不多是這樣吧，有不正之處還請指正。