大家都知道，IGBT單管相當的脆弱，同樣電流容量的IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT上去，可能開機帶載就炸了，這一點估計很多人都深有體會。這不，下面這個網友初次涉足IGBT就給掛掉了，折騰了半天還不知道問題出在哪兒，我們先來看看究竟是怎么回事兒？

提問：前幾天一個朋友讓我?guī)兔o做個小功率變頻器（500W）用作振動盤控制器，雖然我沒做過逆變相關的東西（直接和220打交道的東西只在剛畢業(yè)那年做過一點沒啥經驗）但是本著多學習的態(tài)度就答應了下來。學了幾天SPWM就上陣了。今天板子打回來焊接完畢（由于手頭有幾個從舊板子上拆下來的標注為K20T60的IGBT，于是就用它代替了圖中的IRF840）。先接弱電測試一下，唉好用；然后上220（負載為12V10W的工頻變壓器，二次側開路接示波器），唉也好用。加上電位器調頻調幅功能，先上弱電，好用。再上220，NTC（RT1）爆了。用萬用表一測，Q2和Q4直接掛掉了（三個腿兩兩導通），整流橋也掛了。更換了損壞的器件，上弱電測試然并卵，信號只有上半周并且過流，估計Q1和Q3也掛了。求大神看看這個電路圖問題出在了那里。

<p< p=""><p 補充：用的10uf自舉電容，采用下半橋工頻上半橋pwm的方式，lc濾波之后輸出的波形不是正弦波，像是把正弦波揍扁了一樣。<="" p="">

<p< p="">針對網友的提問，幾位熱心的網友紛紛作答，希望能幫助他快速走出誤區(qū)。

<p< p="">

回答：如果MOS管，死區(qū)一般可以在500nS以內，所以用IR2104驅動是安全的。但是IGBT空載的拖尾效應，這個死區(qū)時間是不夠的，初次做，缺少最佳死區(qū)時間經驗，最好是4個管子單獨驅動，采用IR雙路輸入的半橋驅動芯片為好，死區(qū)從幾個us做起，每個合適的IGBT都有比較合適的死區(qū)時間，這個就不給出直接數據。其實采用下半橋工頻方波，上半橋PWM驅動，可以避免死區(qū)等很多問題，把輸出級驅動問題完全簡單化，而且還能提高效率。補充一下，IR懸浮驅動的自舉電容，采用10n很明顯小了。經驗必須遠大于100n，比如1uf什么的才可以保證上臂驅動的正常供電?；舅惴▎栴}前面已經做過輸出，應該不存在，但是驅動算法還是非常不一樣的，不知道這里你修改對了沒？

而且，因為功率輸出級方式變化了，測量方法也就很講究了，理論上，你每個橋臂中點，測量輸出波形，通過RC低通，能看見半波整流正弦波，雙通道差180°，輸出肯定就是漂亮的完整正弦波了。這里4管驅動必須是這樣的：對角1高管給出正半周PWM波形時候，下對角管在整個正半周期導通。同時其他2個交叉橋臂管全部截止。同樣道理，對角2管給出正半周PWM輸出，下對角管在整個正半周期導通。同時其他2個交叉橋臂管均截止。由于輸出驅動方式大改變，所以PWM算法也不一樣了，過去正弦波過零點PWM=50%，現在正弦波過零點，PWM=0%。這樣2個橋臂輪流輸出正半周，180°驅動，連接在2個橋臂上面的輸出負載上面合成一個完整的正弦波就不是問題了。

補充一下，對于那種浮柵上臂驅動類型的芯片，由于工況變成總有一半時間，下臂長期導通期間，上臂是無法開啟的，但恰恰這個時候上臂是關閉的。因此只需要注意芯片驅動邏輯是不是有上下驅動信號邏輯控制，那種芯片是不能用來驅動這樣全橋的。沒有關聯(lián)邏輯控制的浮柵驅動，才可以正常驅動。

提問：我之前的操作是：對角1高管正半周PWM輸出，下對角管在整個正半周期導通；同時另一個對角的高管截至而1下管和1高管互補輸出。下半周同理。兩個半橋的中心點通過LC濾波后可以得到正弦波?，F在改成了（換板子了不用IR2104驅動H橋了）對角1高管給出正半周PWM波形時候，下對角管在整個正半周期導通。同時其他2個交叉橋臂管全部截止。這兩種方式的過零點PWM占空比都是0%，第二種得不到正弦波。我用示波器看了單片機PWM的輸出，邏輯沒錯。我再找找哪里邏輯錯了。采用“對角1高管給出正半周PWM波形時候，下對角管在整個正半周期導通，同時其他2個交叉橋臂管全部截止的方式”方式的時候自舉升壓電容充電周期和工頻周期一樣，給人感覺在開啟上臂的時候電容充上的電瞬間被放光了導致后續(xù)上臂開啟不了。我的電容已經用到20uF了，不知道該咋辦了。

回答：那就換一個驅動方法，前提是死區(qū)必須由你自己控制了。就是全橋一個臂，輸出上下互補的帶死區(qū)PWM，而另外一個臂，輸出工頻方波，呵呵，反正效率都好過2臂全部用PWM輸出的形式。死區(qū)至少大于1.5uS級，然后一點點減少死區(qū)，到空載不會發(fā)生直通就OK了。這樣你驅動芯片哪怕帶輸入輸出邏輯的也肯定能正常驅動。算法還是和單極性調制的一樣，正弦波過零點必須是0%，正弦波+-最高點就是你PWM最大點。這種方式，用IR2110或者類似芯片肯定能驅起來，有類似工程樣機的，你可以參考：EG8010

提問：我看見很多大功率管子都用IR2110來驅動，是不是這種大管子的柵極電流太大用IR2101這種小電流的驅動芯片帶不動。

回答：是的，浮柵驅動芯片的選擇，和被驅動管子有直接關系，一般按照器件的Qg，和上升下降時間設計來選取，按照Qg=t*i原則選取，比如 選擇驅動沿時間=50ns  被選擇驅動管Qg=200nC，那么i=200nC/50nS=4A。意味著你必須用那種4A的浮柵驅動芯片來驅動才能實現設計目的。在這個設計里面，因為IR2110只有2A，很顯然就不勝任了，當然如果是驅動100nC以下的管子（我們常用的Kw級別逆變器管子都在這個范圍）那就OK了。更大的輸出驅動能力也意味著更小的芯片驅動功耗，這個也是設計時候必須注意的，否則驅動芯片過載也不是好玩的事情。

提問：修改方案后，低電壓沒有問題，上220V之后IR2110的自舉升壓電容糊了沒有爆，IR2110也燒了。串接在220V供電電源上的1A保險絲爆了。

回答：自舉電容糊了？用的什么電容，這個電容必須是低ESR電容，高頻PWM，幾百N貼片陶瓷就可以了。懷疑線路走線不合理，造成VS點負過沖，產生芯片閂鎖，驅動直接掛掉。

我曾經在一個帖子中看到有網友說，他發(fā)現了一些規(guī)律，采用峰值電流保護的措施就能讓IGBT不會炸，不知道這個辦法管不管用，大家不妨試試！