大家知道浪涌是電磁兼容測試項目中一項比較重要的環(huán)節(jié)，能否通過浪涌測試是檢驗產(chǎn)品是否可靠的一種標(biāo)準(zhǔn)。可是在進(jìn)行浪涌測試的時候經(jīng)常會碰到一些令人頭疼的問題，比如說今天這位，做了幾次試驗，繞線電阻屢次炸毀。為此他將問題分享到我們的社區(qū)問答，電磁兼容工程師也是比較給力，有人建議加共模電感，有人說必須要選相應(yīng)的MOV管和PTC管，也有人建議串個普通功率電感，加X/Y電容。那么到底哪個方法管用呢，電磁兼容工程師們，你們也來給給建議吧！

問題描述以及部分網(wǎng)友解答：

做一個12V/0.5A電流輸出的AC-DC模塊，帶30毫安負(fù)載去做浪涌實驗，出現(xiàn)炸機(jī)問題。電路結(jié)構(gòu)：AC220V輸入，經(jīng)過繞線電阻（或飛線），再跨接壓敏電阻在LN端，再經(jīng)過整流橋，然后接4.7UF/450V電容。

現(xiàn)象如下：
1， 2號板，采用620V壓敏（無繞線電阻，直接飛線代替繞線電阻），能通過4KV浪涌，在6KV浪涌時4.7UF/450V電容炸毀。
2， 3號板，采用20歐姆繞線電阻+壓敏電阻，在4KV浪涌時繞線電阻炸毀。
3， 4號板，采用繞線20歐姆電阻（無壓敏電阻），從1KV開始上升，在2500V時繞線電阻炸毀。

分析：在繞線電阻接入電路中后，繞線電阻承擔(dān)了一部分壓降，從而炸毀。

問題：1，繞線電阻是由于過熱炸毀，還是過壓炸毀呢？ 
            2，電容式因為過壓擊穿還是過熱炸毀？

浪涌大概每分鐘持續(xù)50微秒的樣子，電壓一下子非常高。由于繞線電阻有電感特性，而電感的電流不能瞬變，電容的電壓不能瞬變，因此繞線電阻兩端瞬間承受了非常高的電壓，由P=UU/R，所以繞線電阻瞬間熱量增加了很多倍。大概粗略估計，繞線電阻在浪涌的一瞬間，其基本承擔(dān)了所有浪涌壓降。由于瞬間功耗和電壓的平方成正比，因此，估計功耗提升了400倍（按4K浪涌算）。那么，為了不使繞線電阻炸掉，是采用小電感量的繞線電阻，還是小電阻或者大封裝的繞線電阻呢？

Lgz2006說：第一，620壓敏似過高，建議470；第二，萬不可加跳線，必須線繞功率電阻，20歐稍大。

gx-huang說：共模電感是必須的，或者串普通功率電感也可以，加X/Y電容，這個總體成本還便宜。如果要串電阻，電阻的耐壓和瞬間功耗必須足夠，可以選抗浪涌的電阻，這個很貴的。最佳的，是X電容、共模電感、壓敏電阻。有些場合，共模電感、X電容要多個串聯(lián)并聯(lián)，形成PI網(wǎng)絡(luò)。

William008說：620壓敏太高，用470的也可能仍然高。我做過的產(chǎn)品，用的是275V壓敏電阻。應(yīng)該用跳線。浪涌電流進(jìn)來，不經(jīng)過電阻限流，直接用壓敏電阻吸收能量和鉗位。前提是壓敏電阻能承受。我用過TVR10431KS-V ，手冊上明確標(biāo)稱“Meet requirement of IEC 60950-1 for 6KV/3KA combination wave test”。整流橋后用的是400V電容，沒有炸。

浪涌電流的上升沿在幾us這個數(shù)量級，也就是幾百KHz這個數(shù)量級，X電容Y電容都太小，吸收不了多少能量。共模電感不能抑制差模，差模浪涌還是要靠壓敏電阻來吸收。即使是PI網(wǎng)絡(luò)，對EFT和CS有效，對Surge的抑制作用很有限。

單次浪涌的能量在幾焦耳到幾十焦耳的量級。如果用0.47uF的X電容，充電到500V，消耗的能量=0.5*0.47u*500*500=0.06焦耳，忽略不計。所以浪涌的保護(hù)，一般都用鉗位器件，比如壓敏電阻，放電管之類的，不用X電容，PTC也不行。因為PTC變成高阻的前提是發(fā)熱。但發(fā)熱的時間常數(shù)太大，再快的發(fā)熱也是毫秒級，而浪涌是微秒級。

快包的工程師們，對于上述觀點，你們是否認(rèn)同呢，歡迎大家繼續(xù)展開話題討論。