傳統(tǒng)上在RF測試領(lǐng)域，晶片探針測試通常最后會被封裝測試代替，這是因為早期的晶片探針和晶片探針接口的設(shè)計難于處理在RF頻段上接口之間產(chǎn)生的寄生電容和電感問題，噪聲的處理同樣也是一個大的問題，然而，隨著SIP的出現(xiàn)使封裝更復雜和相應(yīng)的封裝成本上升，以及直接銷售，這些改變使得晶片探針測試很有必要。

而且，由于不同功能的晶粒(die)組合在一個封裝里，舉一個最壞的情況，一個良率低的便宜的晶?？赡軗p害整個封裝，使得價格昂貴的晶粒(加上封裝)都沒用。這些需求驅(qū)動著RF晶片探針測試技術(shù)前進。對于SIP，測試可以在封裝后進行，也可以在各個部分整合之前晶片階段進行。通常，在大部分封裝測試前，各個組成的晶粒需要單獨進行探針測試，對于RF芯片，現(xiàn)在晶片級必須進行測試，但是在過去對于RF芯片這些測試是盡量避免的。結(jié)果就是，KGD使得RF芯片的晶片探針測試逐漸成為主流。  

SOC的正式定義是在單一芯片上構(gòu)建一個系統(tǒng)，在SOC芯片中，核(Core)是在硅片級被整合的。在SIP中，同樣的整合是在封裝級發(fā)生的。隨著SIP的出現(xiàn)，不同的IP可以用在同一個封裝內(nèi)。實際上，在某些情況下，不同廠家的晶粒(die)也可以在一起使用。在最近獨立的RF芯片功能模塊(如低噪聲放大器，混頻器等)才與數(shù)字或模擬功能模塊放到同一個晶粒(die)中。RF內(nèi)核放到SOC或SIP中這兩種集成方法的主要不同是各自相應(yīng)帶來的成本好處，這些好處可以分別通過其內(nèi)部使用核的函數(shù)表達，這兩種集成方式的不同包括：其內(nèi)核預期的良率和產(chǎn)品封裝的成本。

就像決定是去測試各個單獨內(nèi)核還是測試整個SIP，這也是各個獨立內(nèi)核良率的函數(shù)。考慮到這里，SIP的整體良率就變成下式：YSiP=Ycore1×Ycore2×…×YcoreN因此，可以非常明顯的看到，在一個SIP中有越多的核，SIP的整體良率越依賴于其封裝中各個單獨核的良率。而且，只要有一個良率不好的核就會導致許多其它好的核和整個封裝報廢。然而，從正面來看，如果制造過程得到了很好的控制并且良率很高，等到所有的晶粒被封裝成SIP時，那么測試的成本就會有非常大的減少，尤其當系統(tǒng)級的測試得以實現(xiàn)時。

RS-485接口可使用一對傳輸線工作在半雙工模式，或使用兩對線(4線)工作在全雙工模式，以同時發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。半雙工多點配置時可支持最多32個驅(qū)動器和多達32個接收器。市場上已經(jīng)出現(xiàn)具有1/4單位負載甚至1/8單位負載接收器輸入阻抗的新器件，例如MAX13448E，允許一條總線上掛接128至256個接收器。擁有這種增強的多點功能后，用戶可構(gòu)建大型RS-485串行設(shè)備網(wǎng)絡(luò)。

接收器輸入檢測靈敏度為±200mV，意味著接收器只有檢測到高于+200mV和低于-200mV的信號電平才識別為1或0位。在±200mV范圍之內(nèi)的噪聲被有效屏蔽。差分信號有效消除共模噪聲。最小接收器輸入阻抗為12kΩ，驅(qū)動器輸出電壓最小值±1.5V、最大值±5V。工業(yè)應(yīng)用中使用的DC - DC轉(zhuǎn)換器包括高輸入電壓和隔離電源轉(zhuǎn)換器。許多應(yīng)用采用24V或48V DC分布式供電?？偩€電源降壓轉(zhuǎn)換至12V或5V后，再采用負載點轉(zhuǎn)換器提供必要的供電。用于遠端傳感器和執(zhí)行器通信的網(wǎng)絡(luò)還需要保護措施，以防止瞬態(tài)、EMI以及地電位差的影響。

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