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借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

發(fā)布時(shí)間:2023-03-21 閱讀量:1668 來(lái)源: 我愛方案網(wǎng)整理 發(fā)布人: Aurora

為什么說(shuō)三星16nm MCU的關(guān)鍵在于MRAM技術(shù),一半是進(jìn)入20nm以下領(lǐng)域,除了eMRAM暫無(wú)他法。另一半則在于,三星在MRAM技術(shù)上的布局由來(lái)已久,而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀,也有跡可循。  

 

在2002年開啟MRAM研發(fā)工作后,三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發(fā),該技術(shù)后來(lái)被證明可以滿足高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)ψ詈笠患?jí)緩存的性能要求,被認(rèn)為是MRAM突破利基市場(chǎng)的利器,已成為包括臺(tái)積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。  

 

借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

 

在此之后,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào),在這期間,與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI,在以Leti、Soitec、意法半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破,快速發(fā)展,為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。  

 

2014年,三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議,授權(quán)三星在芯片量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年,三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。  

 

據(jù)三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作的eMRAM模塊,只要增加3個(gè)掩模,就可以集成到芯片制造過(guò)程的后端。因此,該模塊被允許插入使用批量、FinFETFD-SOI制造工藝生產(chǎn)的芯片中,而不一定取決于所使用的前端制造技術(shù)。  

 

由此也可以看出,三星與意法半導(dǎo)體早已在eMRAM領(lǐng)域進(jìn)行了深入的綁定,由此推測(cè)三星憑借eMRAM技術(shù)拿下意法半導(dǎo)體16nm MCU外包訂單也順理成章。另外,從三星近年來(lái)的對(duì)外發(fā)言中也可知,其對(duì)eMRAM應(yīng)用至MCU早有計(jì)劃。  

 

2017年,三星與NXP達(dá)成代工合同,從這一年起,NXPIoT SoC i.MX系列將通過(guò)三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chǎn),并計(jì)劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)將用于下一代SoCMCU,NXP也由此成為三星MCU代工的首個(gè)客戶。  

 

2019年,在三星推出首款商用eMRAM的同時(shí)即表示,MCU將是eMRAM的主要應(yīng)用方向之一,未來(lái)將繼續(xù)擴(kuò)大其嵌入式非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,其中包括1gb eMRAM測(cè)試芯片,并計(jì)劃使用其18FDS工藝制造eMRAM,以及更先進(jìn)的基于FinFET的節(jié)點(diǎn)。  

 

三星宣布將改進(jìn)其MRAM的MTJ功能,使其適合更多的應(yīng)用。而在第五屆年度三星代工論壇上,三星進(jìn)一步表示,其正在推進(jìn)其14nm工藝,下一代eMRAM的目標(biāo)是MCU、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等應(yīng)用。  

 

方案介紹

 

基于MCU的LED可控硅調(diào)光電源

 

借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃 

 

方案簡(jiǎn)介

 

LED驅(qū)動(dòng),可定制恒壓、恒流,MCU智能化檢測(cè)技術(shù),可兼容市面所有主流的調(diào)光器及系統(tǒng),提供軟、硬件全套量產(chǎn)資料。  

 

性能參數(shù)

 

行業(yè)分類 : 智能家居  

 

開發(fā)平臺(tái) : Holtek 合泰  

 

交付形式 : 整機(jī),軟件  

 

性能參數(shù) : 10-200W  

 

應(yīng)用場(chǎng)景 : 應(yīng)用于調(diào)光燈帶及LED筒燈

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基于新唐MS51開發(fā)的電池管理系統(tǒng)(BMS)—單顆MCU(無(wú)AFE)方案

 

借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃 

 

方案簡(jiǎn)介  

 

1:基于MS51開發(fā)由分立器件組成的電池管理系統(tǒng)(BMS)方案,是電池與用戶之間的紐帶,主要就是為了提高電池的利用率,防止電池出現(xiàn)過(guò)度充電和過(guò)度放電。  

 

2:LED指示說(shuō)明  

 

?藍(lán)燈長(zhǎng)亮系統(tǒng)開機(jī)狀態(tài)  

 

?閃亮表示進(jìn)入充電狀態(tài)  

 

?藍(lán)燈滅進(jìn)入待機(jī)狀態(tài),按按鍵或者外部電源插入時(shí)開機(jī)

 

性能參數(shù)

 

行業(yè)分類 : 電源電池  

 

開發(fā)平臺(tái) : Nuvoton 新唐  

 

交付形式 : PCBA  

 

性能參數(shù) : 運(yùn)行速度 : 24 MHz,電池電壓測(cè)量 : 5至10節(jié)  

 

應(yīng)用場(chǎng)景 : BMS 電池保護(hù)板

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技術(shù)服務(wù)靳工:15529315703

 

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