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發(fā)布時(shí)間:2023-07-7 閱讀量:817 來(lái)源: 我愛(ài)方案網(wǎng) 作者: bebop
近日,小鵬G6正式上市,共推出5個(gè)版本,售價(jià)區(qū)間為20.99萬(wàn)-27.69萬(wàn)元,將于7月開(kāi)啟交付。新車起售價(jià)相比此前22.5萬(wàn)元的預(yù)售價(jià)進(jìn)一步下探,起售價(jià)格僅為20.99萬(wàn)元,比之其對(duì)標(biāo)的特斯拉Model Y更是低了5.4萬(wàn)元,不免讓現(xiàn)場(chǎng)的車友及媒體直呼其定價(jià)頗具誠(chéng)意。
上一次觀眾響應(yīng)如此強(qiáng)烈,還是在2011年的小米發(fā)布會(huì)上,伴隨著1999元的價(jià)格砸下,小米1代手機(jī)把旗艦智能手機(jī)的價(jià)格打到了2000元以下,現(xiàn)場(chǎng)響起了山呼海嘯般的歡呼,一舉奠定了小米的性價(jià)比標(biāo)簽。
如今,低價(jià)高配的小鵬G6,讓人們意識(shí)到,汽車界的“小米”已經(jīng)誕生。小鵬的產(chǎn)品定價(jià)邏輯開(kāi)始重點(diǎn)面向主流客戶,更偏向于薄利多銷。而這,正是小米曾經(jīng)走過(guò)的路。
性價(jià)比,指的是價(jià)格與配置齊在,并不是單純的低價(jià),和小米一樣,小鵬G6在低價(jià)的同時(shí),配置上毫不吝嗇,配齊了官方宣傳的核心賣點(diǎn):800V電壓平臺(tái)、3C電池、高階智駕。
資料顯示,小鵬G6基于SEPA 2.0「扶搖」架構(gòu)打造,全系標(biāo)配全域800V高壓SiC碳化硅平臺(tái),標(biāo)配3C電芯,相比上一代充電技術(shù),充電倍率可提升50%??捎行Ь徑廛囍鞯难a(bǔ)能焦慮,因?yàn)榭s短充電時(shí)間是客戶的真需求。
目前,800V或更高壓的快充是智能電動(dòng)汽車發(fā)展的大趨勢(shì),市場(chǎng)層面期待的基礎(chǔ)設(shè)施配套完善帶來(lái)的便捷性,而企業(yè)考量的則是自身技術(shù)硬實(shí)力與商業(yè)化的一致性。高壓平臺(tái)中電池、電機(jī)、功率半導(dǎo)體等電動(dòng)化設(shè)備需要重新研發(fā),所以背后首先比拼的是企業(yè)的技術(shù)沉淀,然后比拼的是市場(chǎng)傳播廣度和客戶接受度。
自去年9月以來(lái),搭載800V高壓SiC器件的量產(chǎn)電動(dòng)汽車陸續(xù)上市。小鵬汽車G9旗艦SUV搭載800V高壓SiC平臺(tái),主要賣點(diǎn)就是超級(jí)快充。小鵬汽車董事長(zhǎng)兼CEO何小鵬表示,小鵬G9是全球充電最快的量產(chǎn)電動(dòng)汽車,可實(shí)現(xiàn)“充電5分鐘,續(xù)航超200公里?!睒O氪智能旗下威睿電動(dòng)汽車技術(shù)有限公司正式發(fā)布了600kW超充技術(shù),并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),據(jù)稱可實(shí)現(xiàn)充電5分鐘續(xù)航里程增加300公里。哪吒汽車發(fā)布浩智800V SiC高性能電驅(qū)系統(tǒng)將在2023年搭載上車。
總的來(lái)說(shuō),伴隨全球越來(lái)越多的車企量產(chǎn)800V高壓平臺(tái)方案,SiC功率半導(dǎo)體也成為必然選擇.800V高壓平臺(tái)的落地,對(duì)于SiC器件而言更多起到錦上添花的作用。電動(dòng)汽車是SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng),雖然SiC還存在材料缺陷、價(jià)格較高等問(wèn)題,但肯定是未來(lái)的發(fā)展方向。
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核心產(chǎn)品介紹:
充電樁專用大電流高壓直流繼電器系列
CHPV-S600/S400B
方案應(yīng)用:主回路分?jǐn)喈a(chǎn)品特點(diǎn):陶瓷結(jié)構(gòu),安全可靠;帶輔助觸點(diǎn);分?jǐn)嗄芰?qiáng);
技術(shù)參數(shù):
觸點(diǎn)負(fù)載:400A/600A 1000VDC
電氣壽命:1000次
(1000 VDC,400A)
線圈功耗:?jiǎn)?dòng)時(shí)55W
保持時(shí)6W
分?jǐn)嚯娏鳎?000 VDC,2000A 1次
EC2-12NU
方案應(yīng)用:充電樁內(nèi)部信號(hào)檢測(cè);充電槍鎖止
產(chǎn)品特點(diǎn):體積??;兩組轉(zhuǎn)換觸點(diǎn)并列使用,可靠
技術(shù)參數(shù):
觸點(diǎn)負(fù)載:1A 30VDC/250VAC
電氣壽命:10W次;
線圈功耗:140W
CHDR-112D110LA系列
方案應(yīng)用:40KW直流電源模塊;20KW/40KW直流電源模塊直流充電堆柔性分配
產(chǎn)品特點(diǎn):雙觸點(diǎn)帶滅弧結(jié)構(gòu),負(fù)載無(wú)極性;磁保持繼電器帶輔助觸;抗短路電流10KA符合Class2等級(jí)
技術(shù)參數(shù):
觸點(diǎn)負(fù)載:125A 60VDC/80A 24VDC
電氣壽命:≥6000次
線圈功耗:7.7W
觸點(diǎn)間隙:>1.5MM
沖擊電流:1KA 1MS
抗雷擊浪涌電流:20KA Max.
CHMR-105A-THT,100
方案應(yīng)用:直流充電樁絕緣檢測(cè)
產(chǎn)品特點(diǎn):價(jià)比高;交期好
技術(shù)參數(shù):
觸點(diǎn)負(fù)載:10mA 1500VDC
電氣壽命:50000次
線圈功耗:313MW
接點(diǎn)間耐壓3.5kV DC
最大電流:1A(DC/AC交流峰值)
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PassThru?模式是一種控制器工作模式,能夠讓電源直接連接到負(fù)載。PassThru模式用于降壓-升壓或升壓轉(zhuǎn)換器中,以提高效率和電磁兼容性。本文介紹了采用PassThru技術(shù)的控制器相比其他控制器的優(yōu)勢(shì),以及PassThru模式如何延長(zhǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)的使用壽命,特別是超級(jí)電容的總運(yùn)行時(shí)間。
SiC器件的快速開(kāi)關(guān)特性包括高頻率,要求測(cè)量信號(hào)的精度至少達(dá)到100MHz或更高帶寬 (BW),這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中,寬禁帶功率器件供應(yīng)商Qorvo與Tektronix合作,基于實(shí)際的SiC被測(cè)器件 (DUT),描述了實(shí)用的解決方案。
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動(dòng)器,擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開(kāi)關(guān) LED 驅(qū)動(dòng)控制器可驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET,支持降壓、升壓、降升壓及單端一次側(cè)電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 拓?fù)?,適用于高功率 LED 照明系統(tǒng)。產(chǎn)品應(yīng)用包括日行燈 (DRL)、遠(yuǎn)近光燈、霧燈、轉(zhuǎn)向燈、剎車/停車燈等。
USB技術(shù)的開(kāi)發(fā)面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn),主要原因是需要在受限的設(shè)備尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問(wèn)題、各異的數(shù)據(jù)傳輸速度以及對(duì)低延遲和低功耗的要求,給工程師帶來(lái)了更多壓力,他們需要在嚴(yán)格的技術(shù)限制范圍內(nèi)進(jìn)行創(chuàng)新。工程師必須將USB功能集成到越來(lái)越小的模塊中,并在功能與設(shè)計(jì)限制之間取得平衡。 基于FPGA技術(shù)的創(chuàng)新:打造高效低功耗模塊化小USB解決方案 USB技術(shù)的開(kāi)發(fā)面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn),主要原因是需要在受限的設(shè)備尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問(wèn)題、各異的數(shù)據(jù)傳輸速度以及對(duì)低延遲和低功耗的要求,給工程師帶來(lái)了更多壓力,他們需要在嚴(yán)格的技術(shù)限制范圍內(nèi)進(jìn)行創(chuàng)新。工程師必須將USB功能集成到越來(lái)越小的模塊中,并在功能與設(shè)計(jì)限制之間取得平衡。 本文總結(jié)了業(yè)界用于高性能 USB 3 設(shè)備的一些典型解決方案,并介紹了一種新的架構(gòu),這種架構(gòu)既能節(jié)省功耗和面積,又能提高靈活性和易用性。 萊迪思最近發(fā)布了一款帶有原生USB 3.2 Gen 1的新FPGA系列,名為萊迪思CrossLinkU?-NX。除了產(chǎn)品數(shù)據(jù)表之外,本文還將詳細(xì)介紹該器件。CrossLinkU-NX器件的一些
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。