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晶振電路設(shè)計訣竅,工程師必備技巧!

發(fā)布時間:2024-11-15 閱讀量:6044 來源: 綜合網(wǎng)絡(luò) 發(fā)布人: bebop

晶振作為時鐘電路中必不可少的信號傳遞者,單片機(jī)要想正常運(yùn)作就需要晶振存在。因此,在電子電路設(shè)計中也少不了晶振的參與。一個好的晶振電路設(shè)計,是能夠?yàn)殡娮犹峁┳詈玫目臻g利用率,同時發(fā)揮最大的功能性作用。
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振蕩原理

振蕩器是一個沒有輸入信號的帶選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器。從能量的角度來說,正弦波振蕩器是通過自激方式把直流電能轉(zhuǎn)換為特定頻率和幅度的正弦交變能量的電路。對于任何一個帶有反饋的放大電路,都可以畫成下圖所示結(jié)構(gòu):

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▲圖1 振蕩器

 

當(dāng)增益滿足∣f∣×∣a∣≥1,且相位條件滿足α+β=2πn時,構(gòu)成正反饋環(huán)路,起振條件得以滿足。上圖即構(gòu)成一個振蕩器。

 


晶振原理

當(dāng)在晶體兩端加上一定的交變電場,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械形變,石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制的一種諧振器件,若在石英晶體的兩個電極上加一電場,晶片就會產(chǎn)生機(jī)械變形。同時這個機(jī)械形變又會產(chǎn)生相應(yīng)的交變電壓,并且其特征頻率下的振幅比其他頻率點(diǎn)的振幅大得多。根據(jù)這個特點(diǎn),為了得到低的起振電壓和短的起振時間,在晶體兩端施加的交變電壓的頻譜能量應(yīng)主要集中在晶體的特征頻率附近。

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▲圖2 晶振等效電路

 

在一般情況下,晶片機(jī)械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時,振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振。石英晶體振蕩器的等效電路如圖2所示。當(dāng)用石英晶體組成并聯(lián)諧振電路時,晶體表現(xiàn)為感性,其等效品質(zhì)因數(shù)Q值很高。等效阻抗頻率特性如圖3所示。

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▲圖3 晶振等效阻抗

 

3中,F(xiàn)r為串聯(lián)諧振點(diǎn)。在頻率為Fr = 1/(2π√LC)時,圖2中串聯(lián)的L、C諧振,串聯(lián)支路等效為一個純電阻。Fa為并聯(lián)諧振點(diǎn),此時串聯(lián)支路等效為電感,與并聯(lián)的C0諧振,F(xiàn)a= Fr√1+C/C0。此時等效阻抗趨于無窮大。通常這兩個頻率點(diǎn)之間的差值很小。

總的來說,可以認(rèn)為晶振在串聯(lián)諧振時表現(xiàn)為電阻,在并聯(lián)諧振時表現(xiàn)為電感。這里建議設(shè)計時采用并聯(lián)諧振。

電工學(xué)上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點(diǎn),以頻率的高低分其中較低的頻率是串聯(lián)諧振,較高的頻率是并聯(lián)諧振。

 


皮爾斯振蕩器

倒相器作為放大器,同時提供180度的相移。而晶振及負(fù)阻電容作為反饋回路,提供剩下的180度相移。RF為反饋電阻,用來決定倒相器的直流工作點(diǎn),使之工作在高增益區(qū)(線性區(qū))。這個電阻值不能太小,否則會導(dǎo)致環(huán)路無法振蕩。該電路利用晶振的并聯(lián)諧振,由于并聯(lián)諧振與C0有關(guān),會受寄生電容影響,因此增加負(fù)載電容C1、C2,可減小C0對諧振頻率的影響。同時C1、C2的加入會影響起振時間和振蕩頻率的準(zhǔn)確度。負(fù)載電容的選擇,應(yīng)根據(jù)晶振供應(yīng)商提供的datasheet的數(shù)值選擇。在許可范圍內(nèi),負(fù)載電容值越低越好。容值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定,但將會增加起振時間。

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▲圖4 皮爾斯振蕩器電路

 

Rs用于抑制高次諧波,從而使振蕩器獲得較為純凈的頻譜。Rs的值若太小的話,可能會導(dǎo)致晶振的過分驅(qū)動(overdrive),導(dǎo)致晶振損壞或壽命減短。通常取Rs=XC2。Rs的影響可以由下圖看出。

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▲圖5 Rs的影響(來自參考資料)

 


電路設(shè)計

如圖6,PM0和NM0構(gòu)成倒相器,與片外電路共同組成振蕩環(huán)路。PM7~PM9和NM7~NM9組成施密特觸發(fā)器,對波形進(jìn)行整形和放大。輸出信號再經(jīng)過兩級倒相器,以提高輸出級驅(qū)動能力。

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▲圖6 xtal電路原理圖

 


仿真結(jié)果演示

Rs小的時候,在同樣的激勵電壓下,波形幅度比Rs大的情況小很多,導(dǎo)致XC輸出為一根直線。

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▲XOUT

 

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▲圖7 XOUT和XC的波形圖

 


晶振設(shè)計注意事項(xiàng)

在低功耗設(shè)計中晶體的選擇非常重要,尤其帶有睡眠喚醒的系統(tǒng),往往使用低電壓以求低功耗。由于低供電電壓使提供給晶體的激勵功率減少,造成晶體起振很慢或根本就不能起振。這一現(xiàn)象在上電復(fù)位時并不特別明顯,上電時電路有足夠的擾動,很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時,電路的擾動要比上電時小得多,起振變得很不容易。在振蕩回路中,晶體既不能過激勵(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(不容易起振)。

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晶體的選擇應(yīng)考慮以下幾個要素:諧振頻點(diǎn)、負(fù)載電容、激勵功率、溫度特性、長期穩(wěn)定性。換句話說,晶振可靠性工作不僅受到負(fù)載電容的影響。對于負(fù)載電容的選擇,應(yīng)根據(jù)晶振供應(yīng)商提供的datasheet的數(shù)值選擇。在許可范圍內(nèi),負(fù)載電容值越低越好。容值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定,但將會增加起振時間。有的晶振推薦電路甚至需要串聯(lián)電阻RS,它一般用來來防止晶振被過分驅(qū)動。過分驅(qū)動晶振會漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍,這將引起頻率的上升,造成頻率偏移,加速老化。

 


設(shè)計經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

01

首先要選擇一個低的等效串聯(lián)電阻的晶體。晶體串聯(lián)電阻低有利于解決起振的問題。因?yàn)榈偷木w等效阻值有利于增加環(huán)路增益。

 

02通過縮短印制電路板的連線間距來減低寄身電容。從而可以幫助解決起振問題和晶振頻率穩(wěn)定度的問題。

 

03應(yīng)該保持對晶振應(yīng)用溫度和電壓范圍保持監(jiān)控,從而保持晶體起振頻率有必要的話要調(diào)整電容電阻的值。

 

04想要得到最佳效果,晶振設(shè)計應(yīng)該采用Vdd峰峰值的至少40%作為驅(qū)動時鐘反相器的輸入信號。僅僅調(diào)節(jié)晶振兩端是不能達(dá)到這一要求的。我們也可以參考晶振制造商的使用說明來獲得關(guān)于晶振設(shè)計進(jìn)一步的幫助。

 

05對于推薦最優(yōu)化的R1的阻值可以這樣得到,首先計算電容C1,C2的值,然后在R1的位置上設(shè)置一個電位計,將電位計的初始值設(shè)置為XC1。這樣可以通過調(diào)節(jié)電位計來保證在所需要的頻率下起振以及維持晶體穩(wěn)態(tài)振蕩。


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