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儲(chǔ)能電源應(yīng)用中的元器件替代與實(shí)戰(zhàn)方案

發(fā)布時(shí)間:2024-11-22 閱讀量:1615 來(lái)源: 我愛(ài)方案網(wǎng) 作者: bebop

在儲(chǔ)能電源系統(tǒng)中,光伏逆變器是“核心”,牽一發(fā)而動(dòng)全身。逆變器對(duì)半導(dǎo)體功率器件性能指標(biāo)和可靠性要求日益提高,更高的工作室電壓、更大的工作電流、更高的功率密度以及更高的工作溫度都將是未來(lái)的挑戰(zhàn)。因此,碳化硅是其中的技術(shù)突破關(guān)鍵點(diǎn),國(guó)內(nèi)光伏逆變器市場(chǎng)的發(fā)展將帶來(lái)碳化硅器件需求增長(zhǎng)。


現(xiàn)階段主要采用硅基IGBT + SiC SBD方案,隨著碳化硅生產(chǎn)技術(shù)的成熟,導(dǎo)入碳化硅器件成本將進(jìn)一步下降,采用碳化硅方案提升轉(zhuǎn)換效率所創(chuàng)造的價(jià)值將抵消碳化硅器件成本,未來(lái)幾年內(nèi)有望在光伏領(lǐng)域滲透率加速提升。

我愛(ài)方案網(wǎng)提供高性能碳化硅產(chǎn)品及實(shí)戰(zhàn)方案,涵蓋高頻單相/三相有源整流器及功率因數(shù)矯正電路(PFC)、數(shù)字有源濾波器(APF)及并網(wǎng)光伏、微型逆變器等高性能應(yīng)用。

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碳化硅(SiC)器件在當(dāng)前的趨勢(shì)下能夠提供更高的效率。與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET/IGBT 相比,碳化硅器件在高電壓應(yīng)用中更為適用。高電壓器件可簡(jiǎn)化拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),無(wú)需使用多電平轉(zhuǎn)換器。SiC 逆變器解決方案的損耗低于 IGBT 解決方案。 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度也更快,因此可以縮小無(wú)源器件(尤其是電感器)的尺寸。這兩個(gè)因素提高了功率密度,使相同尺寸和重量的設(shè)備具有更高的功率。不過(guò), 需要在成本和性能之間進(jìn)行權(quán)衡,了解實(shí)際要求以決定最合適的解決方案。


IGBT 與碳化硅二極管


SiC 二極管的替代正變得越來(lái)越普遍,尤其是在 DC-DC 階段,因?yàn)槠涑杀驹絹?lái)越低廉,無(wú)需對(duì)電路設(shè)計(jì)進(jìn)行大的改動(dòng),最重要的是,系統(tǒng)性能得到了很好的改善。此外, 提高頻率還能減小無(wú)源器件的尺寸。


在大功率產(chǎn)品(> 200 kW)中, IGBT 是首選,因?yàn)?IGBT 在處理大電流時(shí)具有良好的性能。而且系統(tǒng)不需要很高的工作開(kāi)關(guān)速率,這意味著較慢的 IGBT 關(guān)斷速度不會(huì)帶來(lái)太多問(wèn)題。另一方面,完整的 SiC 系統(tǒng)需要全新的系統(tǒng)設(shè)計(jì),成本很高。例如,基于 IGBT 的轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)電路與基于 SiC 的系統(tǒng)不兼容。還需要考慮新的保護(hù)方法,因?yàn)?SiC 元件的短路耐受時(shí)間(SCWT)比 IGBT 短。


碳化硅有效減少電路體積


碳化硅 (SiC) 在能源存儲(chǔ)系統(tǒng) (ESS) 中的價(jià)值,更小的體積和重量減輕,從而獲得更大的功率密度,從而提高了系統(tǒng)效率。同時(shí),由于在高電流和高溫條件下能夠提高系統(tǒng)效率,減少系統(tǒng)體積和重量,從而降低每瓦的成本。

  • 下圖對(duì)比一個(gè)使用SiC MOSFET電源模塊與普通電源模塊,大小尺寸差異:


普通電源模塊

SiC MOSFET電源模塊


廠家

MEAN  WELL

Infineon

型號(hào)

CSP-3000-400


基于Infineon  SiC MOSFET  IPW60R017C7IPU95R3K7P7

的電源方案

參數(shù)

輸入·:180 ~  264 VAC

輸出:400  VDC

功率:3000W

輸入:176  VAC - 265 VAC

輸出:400  VDC

功率:3300W

(來(lái)源于Infineon方案)

尺寸

278.0mm x 177.8mm x 63.5mm

體積:3139 立方厘米

208mm x 89mm x40mm

體積:740立方厘米


我們可以看出使用SiC MOSFET技術(shù)后,體積縮小了很多。


上述方案采用的SiC MOSFET產(chǎn)品如下:


核心器件:

  • InfineonIPW60R017C7 CoolSiC? N 通道 600 V 109A  446W

  • InfineonIPU95R3K7P7    N 通道 950 V 2A


其他逆變器方案:


基于STM32G474的400W微型逆變器方案



方案規(guī)格:


1. Vin(標(biāo)準(zhǔn)輸入電壓):36V

2. Vin_max(最大輸入電壓):55V

3. Vin_min(最小輸入電壓):18V

4. MPPT范圍:20V至40V

5. Iin(標(biāo)稱輸入電流):12A

6. Imax(最大輸入電流):18A

7. Vbus(DC-DC標(biāo)稱輸出電壓):380V

8. Vbus_max(DC-DC最大輸出電壓):400V

9. Vac(交流標(biāo)稱輸出電壓):110VAC/60Hz、220VAC/50Hz

10. Iac(交流最大輸出電流):1.8A/220VAC、3.6A/110VAC

11. Pac(最大輸出功率):400W


方案優(yōu)勢(shì):


1. 電源應(yīng)用 : 400W Microinverter 

2. 數(shù)位控制 (主控制芯片 : STM32G474 )

3. 使用單一 MCU做 MPPT 與 Inverter 控制功能

4. 使用 PLL 鎖相環(huán)進(jìn)行環(huán)路控制

5. 隔離型 MPPT 符合規(guī)范需求

6. 采用ST第三類 SiC半導(dǎo)體,高頻操作縮小體積 

7. 太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成交流電并回電網(wǎng)


方案二:基于HC32F334的500W光伏微型逆變器方案


方案規(guī)格:

?  PV電壓范圍:25~60V

?  電網(wǎng)電壓:200~240V @50Hz

?  最大輸出功率:500W

?  開(kāi)關(guān)頻率:60kHz~200kHz

?  峰值效率:94.7%

?  入網(wǎng)電流THD:3.2% @Vpv=45V 500W

?  PF:>0.99


方案優(yōu)勢(shì):

?  基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的數(shù)字電源控制器方案

?  高性能主控芯片HC32F334

?  交錯(cuò)反激采用谷底開(kāi)通斷續(xù)模式,提高系統(tǒng)效率

?  交錯(cuò)反激輸出饅頭波,減小反激輸出母線電容

?  全橋逆變采用工頻開(kāi)關(guān),提高系統(tǒng)效率

?  經(jīng)典擾動(dòng)式MPPT環(huán),快速準(zhǔn)確找到MPPT點(diǎn)

?  保護(hù)功能齊全:輸出過(guò)流,輸入反激過(guò)流保護(hù),反激輸出電壓過(guò)壓保護(hù)等

?  效率高達(dá)94.7%


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