本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現(xiàn)代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧,可集成到驅動器芯片上。這種電隔離可以通過集成高壓微變壓器或電容器來實現(xiàn)。1, 2, 3 一次意外的系統(tǒng)故障均可導致功率開關甚至整個
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發(fā)布時間 : 2019-06-24
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