半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管,是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復合全控型電壓驅(qū)動式半導體功率器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起,MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
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發(fā)布時間 : 2022-02-17
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