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  2016.01.05
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二．MOS管的數(shù)理模型

2.1 MOS管的結(jié)構(gòu)及基本原理

2.2 MOS管的I~V特性

2.3MOS管的擊穿特性

2.4 MOS管的C~V特性

三．MOS制備工藝

2.1 離子注入

工藝的意義，工藝采用的模型，不同模型下器件結(jié)構(gòu)差異，構(gòu)造至少2種模型

2.2 光刻

2.3

四．MOS管器件仿真

4.1 IV特性

（結(jié)構(gòu)1，結(jié)構(gòu)2）

4.2CV特性

4.3擊穿特性

五．DevEDIT生成MOS結(jié)構(gòu)及仿真

4.1結(jié)構(gòu)生成

4.2仿真

六．結(jié)論

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